Интерфейс и архитектура
Накопитель спроектирован на базе гибридного интерфейса, обеспечивающего универсальную совместимость с современными материнскими платами. Архитектура устройства лишена выделенного чипа DRAM-кэша, вместо которого используется технология динамического выделения системной памяти под нужды контроллера.
- Интерфейс подключения
- PCIe Gen 4.0 x4 или PCIe Gen 5.0 x2
- Протокол передачи данных
- NVMe 2.0
- Тип используемой памяти
- Samsung V-NAND 3-bit TLC (8-е поколение, 236 слоев)
- Базовый контроллер
- Samsung Piccolo (5-нанометровый технологический процесс)
- Архитектура кэширования
- HMB (Host Memory Buffer) вместо выделенной DRAM
Скоростные показатели и производительность
Высокие линейные скорости достигаются за счет оптимизации микропрограммы и алгоритма ускоренной записи, который выделяет динамическую SLC-зону из общего объема свободного пространства для быстрой обработки входящего потока данных.
- Последовательное чтение
- До 7150 МБ/с
- Последовательная запись
- До 6300 МБ/с
- Случайное чтение (4KB, QD32)
- До 850 000 IOPS
- Случайная запись (4KB, QD32)
- До 1 350 000 IOPS
- Технология ускорения записи
- Intelligent TurboWrite 2.0 с размером SLC-кэша до 114 ГБ
Физические параметры и энергоэффективность
Конструкция платы выполнена в одностороннем дизайне, что делает ее совместимой с ультратонкими ноутбуками и портативными консолями. Энергетическая эффективность контроллера значительно повышена, снижая тепловыделение при интенсивных нагрузках.
- Форм-фактор платы
- M.2 2280 (одностороннее расположение компонентов)
- Габаритные размеры (Ш x В x Г)
- 80.15 x 22.15 x 2.38 мм
- Масса нетто
- Не более 9.0 г
- Энергопотребление при чтении
- Среднее значение 4.3 Вт
- Энергопотребление при записи
- Среднее значение 4.2 Вт
- Энергопотребление в режиме сна
- Около 5 мВт (режим L1.2)
Надежность и защита данных
Безопасность хранения обеспечивается аппаратными механизмами шифрования информации без потери пропускной способности интерфейса. Пассивный теплоотвод реализован за счет специальной наклейки на обратной стороне платы.
- Гарантированный ресурс записи
- 600 TBW (Terabytes Written)
- Наработка на отказ (MTBF)
- 1 500 000 часов
- Аппаратное шифрование
- AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive (IEEE1667)
- Пассивное охлаждение
- Медное покрытие и теплораспределительная графеновая наклейка
- Инструменты мониторинга
- Поддержка команд TRIM, системы самодиагностики S.M.A.R.T и утилиты Samsung Magician