Твердотельный накопитель Samsung MZ-V9S2T0BW

Основные характеристики

Линейка

990 EVO Plus

Ёмкость

2 ТБ

Форм-фактор

M.2 (2280)

Интерфейс

PCIe Gen 4.0 x4 / Gen 5.0 x2

Производительность

Скорость последовательного чтения

До 7250 МБ/с

Скорость последовательной записи

До 6300 МБ/с

Случайное чтение (4KB, QD32)

До 1 050 000 IOPS

Случайная запись (4KB, QD32)

До 1 400 000 IOPS

Технологии и архитектура

Тип флеш-памяти

Samsung V-NAND 3bit TLC

Контроллер

Собственный фирменный контроллер Samsung (In-House)

Тип архитектуры

DRAM-less (безвыделенный кэш DRAM)

Поддержка HMB

Да (Host Memory Buffer для оптимизации скорости)

Технология кэширования

Intelligent TurboWrite 2.0

Надежность и охлаждение

Ресурс записи (TBW)

1200 ТБ

Среднее время наработки на отказ (MTBF)

1.5 млн часов

Теплораспределитель

Стикер с медной подложкой на тыльной стороне

Защита от перегрева

Динамическая теплозащита (Dynamic Thermal Guard)

Шифрование данных

AES 256-бит, TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive (IEEE1667)

Энергопотребление и габариты

Энергоэффективность

Повышена до 73% на ватт по сравнению с прошлым поколением EVO

Поддержка режима сна

Да (Device Sleep Mode)

Ширина

22 мм

Длина

80 мм

Толщина

2.38 мм